本發明涉及一種面向SoC的片上TDDB退化監測及失效預警電路,控制電路模塊將Q1、Q0信號轉化為開關狀態控制信號輸出至TDDB性能退化數字轉化模塊;TDDB性能退化數字轉化模塊內的第一MOS管電路的MOS管處于電源電壓的應力狀態下,第二MOS管電路的MOS管處于非應力狀態下;第一MOS管電路和第二MOS管電路在開關狀態控制信號的控制下,分別輸出第一頻率值和第二頻率值至輸出選擇模塊;輸出選擇模塊將TDDB性能退化數字轉化模塊輸出的第一頻率值輸出至計數器B中進行記錄,或者將第二頻率值輸出至計數器A中進行記錄;計數器模塊通過比較第一頻率值與第二頻率值確定TDDB性能的退化量。本發明的結構簡單,輸出可監測TDDB性能退化過程,能夠對TDDB性能進行準確預警。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)