本發明公開了IGBT用SiC半導體微觀劣化失效評估方法和系統,屬于電力電子器件劣化失效與狀態評估領域。本發明方法直接從SiC半導體空間電荷定域化行為出發,對正向阻斷狀態SiC半導體空間電荷行為進行測量,并通過空間電荷測量結果提取SiC半導體微觀電荷特性參數,建立劣化模型。通過劣化模型和微觀電荷特性參數,實現了對SiC半導體進行劣化狀態評估與壽命預測。本發明的這種狀態評估方法從SiC半導體微觀劣化機理出發,可以更好的反應其劣化失效特征、更加有效的評估其劣化狀態與工作壽命。
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