本發明涉及一種晶圓缺陷分析方法,包括:完成特定工藝步驟后,檢測所述晶圓,將其上的晶粒分為缺陷晶粒和非缺陷晶粒,并按每個所述缺陷晶粒內的缺陷數對所述缺陷晶粒進行分類,得到第一檢測結果;所有工藝全部完成后,對上述晶圓進行性能測試,將其上的晶粒分為工作晶粒和非工作晶粒,得到第二檢測結果;根據所述第一檢測結果和所述第二檢測結果,對所述晶圓的晶粒進行再次分類;計算每種缺陷引起的缺陷誘致失效率和良率損失。本發明的晶圓缺陷分析方法準確可行,解決了現有技術缺陷分析不準確的缺陷。
聲明:
“晶圓缺陷分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)