隨著微電子技術的高速發展,集成電路的規模越來越大。由于制造工藝的原因,電路失效是無法避免的存在,如何快速準確地查找失效部位是失效分析工作的重點?,F在一般通過EMMI(紅外發光顯微鏡)、OBIRCH(激光掃描顯微鏡激光誘導電阻率變化)、離子探針等技術來定位漏電失效部位,但這些方法儀器昂貴、成本高、周期長。本發明利用IC不同濃度的摻雜區在被氧化腐蝕時所處的電位不等,反應速率不一樣,經腐蝕后表面產生不同的顏色;而當存在漏電通路時,由于處于同一電位,腐蝕速率相同,顏色就會表現一樣的原理。通過氫氟酸與硝酸混合液對IC中的硅產生持續腐蝕作用,提供了一種分析方便、成本低廉、可靠性高的IC中集電極發射極漏電的三極管檢測方法。
聲明:
“雙極IC中集電極發射極漏電的三極管檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)