本發明提供一種快閃存儲器的缺陷檢測方法、耐久測試方法和制造方法,所述缺陷檢測方法和耐久測試方法,通過選擇快閃存儲器芯片的奇數扇區或者偶數扇區來進行擦除,可以使快閃存儲器芯片中的淺溝槽隔離結構中的多晶硅殘留與相鄰的至少一條字線短接或者由于被擦除而帶正電荷,并在多晶硅殘留帶正電荷后施加更大的編程電流以及更長的編程時間來進行編程串擾測試,從而將快閃存儲器中具有多晶硅殘留的存儲單元以編程串擾失效的形式快速、有效地檢測出來,從而避免了后續產品在使用過程中所出現的可靠性問題。所述制造方法能夠根據所述缺陷檢測方法或所述耐久測試方法的結果來調整制造工藝參數,避免淺溝槽隔離結構中出現空洞缺陷,提高產品可靠性。
聲明:
“快閃存儲器的缺陷檢測方法、耐久測試方法和制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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