一種檢測半導體器件介質層可靠性的方法和裝置,其中,所述方法包括:基于斜坡電壓測試和時間相關介質擊穿測試的介質層擊穿過程,確定介質層的斜坡擊穿電壓和時間相關介質擊穿時間之間的轉換關系;利用斜坡電壓測試,測試一組樣品的介質層的斜坡擊穿電壓Vbd1,Vbd2......Vbdn;利用韋伯分布對所述斜坡擊穿電壓Vbd1,Vbd2......Vbdn進行擬合;基于所述擬合結果,確定與預定斜坡電壓擊穿累積失效率對應的斜坡擊穿電壓;利用所述介質層的斜坡擊穿電壓和時間相關介質擊穿時間之間的轉換關系,將所述確定的斜坡擊穿電壓轉換為時間相關介質擊穿時間。本發明可以快速的進行半導體器件介質層可靠性評估。
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