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    半導體器件及其檢測方法

    1141   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:00:05
    本申請公開了一種半導體器件及其檢測方法,半導體器件包括第一半導體結構、與第一半導體結構鍵合連接的第二半導體結構、以及鍵合檢測結構;其中,鍵合檢測結構包括段片式導電結構以及信息產生裝置,段片式導電結構包括分布于第一半導體結構中的第一段片和分布于第二半導體結構中的第二段片,第一段片和第二段片通過鍵合連接的第一導電觸點和第二導電觸點串聯形成檢測線,檢測線的兩端用于接入預設檢測電壓;信息產生裝置包括與不同位置的第一段片和/或第二段片對應連接的多個信息產生單元,各信息產生單元用以在接收到預設檢測電壓時發出受檢測信息。本申請可以快速定位段片式導電結構的斷路位置,從而快速定位半導體器件的鍵合失效位置。
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    “半導體器件及其檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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