本申請實施例提供一種可控硅耐量測試裝置及方法,通過第一控制電路根據設定沖擊持續時間和設定沖擊間隔時間控制第二控制電路每次輸入的電流沖擊信號的沖擊持續時間和沖擊間隔時間。然后,通過第二控制電路按照設定沖擊電流幅度向待測可控硅輸入電流沖擊信號,并記錄電流沖擊信號的沖擊次數。最后,通過回路電流檢測電路檢測待測可控硅的回路電流信號,并根據回路電流信號顯示待測可控硅的回路電流狀態。如此,能夠基于待測可控硅的回路電流狀態分析電流沖擊信號的沖擊次數,將半導體器件的電流沖擊耐受能力進行有效量化,以便于后續準確評估半導體器件的電流沖擊耐受能力,進而采取必要手段降低半導體器件的器件失效比例。
聲明:
“可控硅耐量測試裝置及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)