本申請涉及一種GaN功率器件的狀態監測方法、裝置、計算機設備和介質,獲取待測器件的結溫,根據結溫對待測器件進行功率循環測試,獲取功率循環測試過程中的待測器件的電氣參數,電氣參數包括芯片級失效參數,根據電氣參數以及狀態監測模型得到狀態監測結果,當狀態監測結果指示待測器件未發生失效時,返回根據結溫對待測器件進行功率循環測試,獲取功率循環測試過程中的待測器件的電氣參數。通過監測待測器件在多次功率循環測試中的電氣參數,將待測器件芯片級失效相關的參數納入考量,通過狀態監測模型對電氣參數進行分析,從而能夠高效對待測器件的工作狀態作出監測,有效了提高GaN功率器件狀態監測結果的全面性以及準確性。
聲明:
“GaN功率器件的狀態監測方法、裝置、計算機設備和介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)