本發明提供了一種砷化鎵芯片封裝結構中取晶粒的方法和應用,涉及砷化鎵芯片技術領域。該砷化鎵芯片封裝結構中取晶粒的方法,采用特定原料組成以及配比的液體混合物與砷化鎵芯片封裝結構進行反應,并通過控制反應的時間以及溫度,從而實現對砷化鎵芯片封裝結構中塑封體以及基底的完全去除,同時也不會對晶粒產生損傷,實現晶粒的完整提取。本發明提供了上述砷化鎵芯片封裝結構中取晶粒的方法的應用,鑒于上述方法所具有的優勢,使得所提取的晶粒不會受到腐蝕以及損傷,保證了晶粒的完整,為研究砷化鎵芯片的失效分析提供了前提條件。本發明還提供一種砷化鎵芯片的失效分析方法。
聲明:
“砷化鎵芯片封裝結構中取晶粒的方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)