本發明公開了非接觸式判斷半導體材料導電類型的方法?,F有方法在測試后會造成半導體材料表面損壞。本發明方法在待測半導體晶片表面上方布置測量電極和參考電極,電極為透明導電玻璃,導電面朝下;兩個電極的導電面分別接接運算放大器的同向和反向輸入端;測量電極上方設置加熱用光源。首先關閉光源,調節運算放大器輸出電壓為0,然后開啟光源加熱晶片局部表面,當運算放大器有信號輸出,關閉光源;3~5秒后,檢測運算放大器的輸出電壓極性:如果極性為正,則半導體材料為P型;如果極性為負,則半導體材料為N型。本發明方法避免了樣品損傷,操作簡單,易實現自動化,同時避免半導體材料因受熱而進入本征激發狀態,導致判斷失效或者錯誤判斷。
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