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    基于LDMOS器件內柵電荷補償的抗總劑量方法

    967   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 09:01:26
    一種基于MOS器件內柵電荷補償的抗總劑量效應的方法屬于抗輻照半導體技術領域。本發明至少包括兩種新型MOS器件結構和一種新型電路結構,能夠大幅度增強LDMOS器件的抗輻照性能。本發明針對星載LDMOS在總劑量效應作用下產生的閾值漂移甚至是器件失效,提出在LDMOS柵極添加輔助柵極以共同構成復合柵極,再通過旁置的浮柵MOS來引入外部負壓源。當總劑量效應使得LDMOS柵氧化層中積累一定量的正電荷后,通過浮柵MOS檢測LDMOS閾值漂移程度,且其自身與外部負壓源共同向LDMOS輔助柵極引入負電荷來抑制LDMOS的閾值漂移,并在LDMOS閾值回歸正常范圍后停止該過程,總體上達到將LDMOS閾值控制在合理范圍內的效果。本發明可提高集成電路的抗輻照能力。
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