本公開實施例涉及半導體領域,提供一種半導體結構和半導體結構的制造方法,半導體結構包括:基底,所述基底包括相鄰設置的芯片區和劃片道區;偵測金屬層,位于所述基底上,且位于所述劃片道區靠近所述芯片區的一側,所述偵測金屬層能夠在激光照射下發生形態變化。本公開實施例至少可以提前偵測激光切割的效果,有利于降低半導體結構的失效率。
聲明:
“半導體結構和半導體結構的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)