一種壓接式IGBT模塊多物理場耦合仿真方法,包括以下步驟:步驟一、通過ANSYS?simpleror計算壓接式IGBT模塊的集電極平均電流;步驟二、在ANSYS?Maxwell中計算壓接式IGBT模塊隨溫度變化的發熱功率;步驟三、在ANSYS?steady?state?thermal中計算壓接式IGBT模塊的內部溫度分布;步驟四、在ANSYS?steady?state?mechanical中計算壓接式IGBT模塊內部應力分布。本發明能夠清晰地描述各物理場間的耦合關系,得到IGBT模塊實際運行中內部的溫度分布以及應力分布狀態,從而預測出模塊內部最易失效的部分。
聲明:
“壓接式IGBT模塊多物理場耦合仿真方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)