本發明提供了一種倒裝發光二極管芯片及其制備方法,涉及芯片技術領域,該發光二極管芯片自下而上依次包括襯底、外延層、電流阻擋層、電流擴展層、第一導電金屬層、DBR反射層、第二導電金屬層、絕緣保護層及鍵合金屬層;其中,所述第一導電金屬層包括第一N型導電金屬與第一P型導電金屬,在單個所述發光二極管芯片內,所述第一N型導電金屬與所述第一P型導電金屬的數量比為1:2?1:30。本發明能夠解決現有技術中第一N型導電金屬與第一P型導電金屬間距較大,導致電流擴散困難及電流擴散不均勻,在較大的雷擊浪涌測試時,大電壓輸入的情況下,電流無法迅速擴散,導致芯片燒毀失效的技術問題。
聲明:
“倒裝發光二極管芯片及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)