松瓷第三代單晶爐是一種先進的低氧型單晶爐,它在惰性氣體環境中,利用石墨加熱器熔化多晶硅,并通過獨特的拉晶工藝和直拉法,生長出無錯位且低氧含量的單晶硅。該設備在36吋熱場下,可將氧含量控制在6-7ppm,相比同等條件,同心圓現象出現,氧含量降低了40%。憑借松瓷獨特的降氧方案設計,單晶硅棒的氧含量能顯著降低,從而有效提升N型210電池片的效率,提升幅度在0.1%-0.2%之間。
松瓷第三代單晶爐:低氧型單晶爐是一種在惰性氣體(氣、氮氣)環境中,用石墨加熱器將多晶硅熔化,運用獨特的拉晶工藝,用直拉法生長無錯位低氧含量單晶的設備。
36吋熱場拉制N10氧含量控制范圍
6-7ppm同等條件下,同心圓出現
無氧含量降低40%