DE500DL超導量子磁控濺射系統配備多個磁控濺射源,可沉積金屬、半導體、介質材料. 可用于濺射多層薄膜、共濺合金薄膜、反應濺射、LIFT-OFF工藝薄膜、隧道結薄膜等。是材料和薄膜沉積研發和中試的理想平臺。
特點
濺射距離可調
PID下游和上游壓力控制
良好的薄膜均勻性和重復性
安全互鎖保護
PLC和工控全自動控制
可選離子束清洗或輔助沉積
可選RF等離子體清洗
主要配置
鍍膜腔室 不銹鋼腔體
真空閥門 高真空插板閥門
真空測量 寬量程真空計
濺射源 多個濺射源,直流、脈沖直流、射頻電源
樣品臺 樣品臺旋轉加熱或冷卻
氣體和壓力控制 多路氣體配流量計、PID控制壓力控制
預真空樣品室 單基片或多基片裝載能力、全自動送樣
主要技術指標
鍍膜腔室極限真空度 優于9E-9Torr
基片尺寸 可選:2英寸、4英寸、6英寸
基片加熱和冷卻 可加熱至900℃和冷卻至-50℃,基片可自轉
膜厚均勻性 優于+/-3%