DE500DL納米膜層磁控濺射系統配備多個磁控濺射源,可沉積金屬、半導體、介質材料. 可用于濺射多層薄膜、共濺合金薄膜、反應濺射、可選濺射楔形膜等。是材料和薄膜沉積研發和中試的理想平臺。
特點
濺射距離可調
PID下游和上游壓力控制
良好的薄膜均勻性和重復性
安全互鎖保護
可選離子束清洗或輔助沉積
可選RF等離子體清洗
可選濺射楔形膜
PLC和工控全自動控制
主要配置
鍍膜腔室:不銹鋼腔體
真空:分子泵(或冷凝泵)和干泵
真空閥門:高真空插板閥門
真空測量:寬量程真空計
濺射源:多達6個濺射源、直流、脈沖直流、射頻電源、HIPPIMS電源
樣品臺:樣品臺旋轉加熱或冷卻
氣體和壓力控制:多路氣體配流量計、PID控制壓力控制
預真空樣品室:單基片或多基片裝載能力、全自動送樣
主要技術指標
鍍膜腔室極限真空度:優于3E-8Torr(或9E-9Torr)
基片尺寸:可選:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
樣品加熱器最高溫度:600℃ (可選900℃)
膜厚均勻性:優于+/-3%