權利要求書： 1.一種晶圓測厚儀，其特征在于，包括：基座；所述基座頂部設有放置平臺和支撐架；所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；所述基座內安裝有下電容傳感器和抽真空裝置；且所述下電容傳感器位于上電容傳感器的正下方；所述放置平臺表面設有1個測試孔和至少3個真空吸附孔；所述測試孔位于下電容傳感器的正上方及上電容傳感器的正下方；所述真空吸附孔環繞測試孔均勻分布，且各真空吸附孔通過環形氣道相互導通；所述真空吸附孔與真空接入嘴連接；所述真空接入嘴通過管路與抽真空裝置導通；所述真空吸附孔與真空接入嘴的銜接處還設有密封蓋。2.如權利要求1所述晶圓測厚儀，其特征在于：所述放置平臺表面設有一層防靜電特氟龍涂層。3.如權利要求1所述晶圓測厚儀，其特征在于：所述上電容傳感器外側安裝有防護外殼。4.如權利要求1所述晶圓測厚儀，其特征在于：所述支撐架包括對稱設置的左支撐骨架和右支撐骨架；且所述左支撐骨架和右支撐骨架之間設有加強筋。5.如權利要求1所述晶圓測厚儀，其特征在于：所述抽真空裝置包括依序連接的壓縮空氣接入口，氣源三聯件，電磁閥和真空發生器。6.如權利要求1所述晶圓測厚儀，其特征在于：所述基座底部設有可升降地腳。 說明書： 晶圓測厚儀技術領域[0001] 本申請涉及電子測量設備技術領域，具體而言，涉及一種晶圓測厚儀。背景技術[0002] 晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，可用于加工制成各種電路元件。而成為有特定電性功能的集成電路產品。在晶圓加工過程中，只有經過研磨拋光后的晶圓才能進入刻蝕，化學沉積，電鍍等工藝。因此實踐中需要對晶圓厚度進行精確的測量和控制?，F有技術中，當采用非接觸式測量方法對晶圓厚度進行測量時，由于晶圓邊沿可能存在細微的翹曲，因此測量結果會存在亞微米級的測量誤差。因此，本申請提供了一種新型的晶圓帶阻力感應的搬運機械手，以克服現有技術中存在的上述問題。實用新型內容[0003] 本申請提供了一種晶圓測厚儀，能夠克服晶圓邊沿翹曲帶來的檢測誤差，實現對晶圓厚度在亞微米級別的精確測量。[0004] 其采用的技術方案如下：[0005] 一種晶圓測厚儀，其包括：基座；所述基座頂部設有放置平臺和支撐架；所述支撐架上安裝有觸摸顯示器和上電容傳感器；所述基座內安裝有下電容傳感器
聲明：
“晶圓測厚儀” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：中冶有色網
來源：上海技垚科技有限公司
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2025年08月05日 ~ 07日 
