本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法,先通過電子束在低磷、低金屬的高純硅錠的頂部形成穩定熔池,后將需提純的硅粉落入熔池熔煉,實現粉體的快速熔化去除硅粉中的揮發性雜質磷,同時進行定向拉錠使低磷多晶硅進行定向凝固生長,通過分凝效應去除多晶硅中金屬雜質。本發明的顯著效果是同時采取電子束熔煉粉體硅料和定向凝固的方式,用電子束快速去除雜質磷,用定向凝固將分凝系數較小的金屬雜質去除,有效提高了多晶硅的純度,達到了太陽能級硅的使用要求。本發明提純效果好,技術穩定,工藝簡單,生產效率高,節約能源,成本低,適合批量生產。
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