本發明涉及靶材生產制備領域,具體而言,涉及硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產方法,按配比準備金屬化合物的原料;對原料進行真空熔煉處理,得到金屬化合物;將金屬化合物進行粉末冶金處理,得到干燥的金屬化合物粉末;將干燥的金屬化合物粉末進行真空熱壓燒結處理,得到塊狀的金屬化合物相變材料濺射靶材。本發明所述硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產方法,生產一系列金屬化合物相變材料。這些材料,能夠實現現有的金屬化合物相變材料的相變功能之外,且生產金屬化合物相變材料的成本降低。而且,制成的各種金屬化合物相變材料比傳統的GeSbTe金屬化合物相變材料熔點低,故其相變的溫度點也較低,使得工藝的窗口得到拓寬。
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“硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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