本發明涉及冶金學領域,特別是由富含Si28的無機化合物,主要是四氟化硅來生產單同位素硅的方法。本方法包括將四氟化硅在高溫下還原,特征在于通過在180-200℃的溫度下將四氟化硅用氫化鈣還原的方法來制備硅烷,然后將得到的硅烷在800-900℃的溫度下進行高溫分解處理,且單同位素硅沉積到基體上的速度不超過0.5mm/小時。單同位素硅的沉積速度主要通過改變硅烷的供應速度來調節。沉積過程在一個預先得到的單同位素硅基體上進行,或者分兩個階段進行,第一階段是在一個難熔基體上,例如一個熔點高于硅沉積溫度的金屬基體進行沉積,然后,將得到的單同位素硅棒與基體脫離,繼續在第一階段得到的單同位素硅棒上進行沉積操作。
聲明:
“生產單同位素硅Si28的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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