本發明公開了一種氧化鋅鎂靶材及制備方法,屬于半導體光電材料、磁控濺射鍍膜和粉末冶金燒結技術領域。方法包括以下步驟:按設計組分別取ZnO和MgO粉末原料;采用分段球磨、濕法制坯、分段脫脂、分段燒結、機加工、磨制等工藝,對粉末原料進行處理;按本發明提出的方法,可獲得一種致密度高、純度有保障、無缺陷、晶粒均勻且細小、不容易開裂的氧化鋅鎂靶材成品。
聲明:
“氧化鋅鎂靶材及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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