本發明涉及一種真空連續熔煉提純太陽能級硅材料的設備。該設備進料腔、石墨坩堝、水冷坩堝依次排列,高度逐漸降低;石墨坩堝使用石墨隔離帶將坩堝分為熔化區與蒸發區,坩堝為整體加熱,加熱可使用石墨加熱器或中頻加熱,結構簡單;塊狀或粉末狀硅原料由進料腔加入到石墨坩堝進行熔化,當硅水液面高于石墨隔離帶后,硅水從熔化區流入到蒸發區;流經蒸發區的硅水流入到水冷坩堝內,完成澆鑄。該設備可以在高真空條件下連續熔煉,去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等揮發性雜質。本發明具有高真空、高溫、連續熔煉的技術特點,擁有能耗低、無耗材、成本低、易于操作與控制的優點。
聲明:
“真空連續熔煉提純太陽能級硅材料的設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)