本發明涉及一種制備中等純度的硅的方法,其包括:通過在潛弧電爐中碳熱還原二氧化硅制備硼含量低的硅;采用氧氣或者氯氣對液態硅進行精煉;在10-100Pa的低壓下,通過噴射中性氣體對已精煉的硅進行處理;偏析凝固。本發明還涉及被設計用作制造電子級或者光電級硅的原材料的中等純度硅,其組成為(以重量分數計):雜質的總含量為100-400ppm,其中,金屬元素的含量為30-300ppm;硼含量為1-10ppm;磷/硼之比為0.5-1.5。
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“中等純度冶金硅及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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