本發明公開了一種降低冶金級硅太陽能電池暗電流的擴散工藝,第一步進行低溫濃磷擴散,在較低溫度下,通入高濃度磷源進行擴散,形成高濃度磷摻雜;第二步進行高溫長時間磷吸雜,在較高溫度下使鐵、碳、硼、氧等雜質的沉淀態雜質、替位態雜質或者其它雜質復合體釋放成間隙態雜質,間隙態的雜質快速擴散到高固溶度的磷硅玻璃層中,完成高溫磷吸雜,提升體少子壽命;第三步低溫推進,在較低溫度下,推進結深、并調整至工藝要求的方塊電阻;并且隨著溫度的降低表面濃磷區域雜質固溶度降低,使間隙態的雜質轉變成沉淀態、復合體等形態的雜質。采用本發明擴散工藝對冶金級晶體硅片進行擴散,可以有效降低太陽電池的暗電流,提高太陽電池的轉換效率。
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“降低冶金級硅太陽能電池暗電流的擴散工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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