本發明涉及硅的精制和除雜方法,即從較低純度的硅獲得較高純度、特別是低硼、低磷雜質含量的、滿足半導體和電子元器件所需的純度較高的硅原料的方法?,F有的高純硅制造方法,存在著能耗大、生成環境危害因子、成本高、工藝復雜、投資大等問題,本發明采用將硅材料和特定除雜劑制成的含硅熔體的方法,經精煉純化,并使硅結晶分離,得到純化的硅,經進一步除去除雜劑成分,獲得可應用于半導體和電子元器件領域的高純硅或硅晶體。適用于從各種純度的硅或含硅材料制取高純硅或硅晶體。
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“硅的冶金化學精制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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