一種在存在Pb/Sn焊料凸點(17)下從晶片(10)表 面上去除球形限制冶金(BLM)層(14, 15)的方法。在一個實施方 案中, 該BLM層包括鈦層(14)和銅層(15)兩層。在Pb/Sn焊料凸 點(17)形成在晶片(10)的電接觸墊(12)上后, 用H2SO4+H2O2+H2O溶液蝕刻BLM銅層(15)。在去除銅層(15)的同時, 該H2SO4+H2O2+H2O蝕刻劑也與Pb/Sn焊料凸點(17)反應在凸點(17)表面上形成薄Pb0保護層(18)。當銅層(15)被蝕刻掉后, 用CH3COOH+NH4F+H2O溶液蝕刻鈦層(14)。當暴露于CH3COOH+NH4F+H2O蝕刻劑時, 形成在Pb/Sn焊料凸點(17)上的PbO層(18)保持不溶解, 由此防止焊料凸點(17)在存在CH3COOH+NH4F+H2O蝕刻劑時被蝕刻。當鈦被完全蝕刻后, 通過暴露在HCl+NH2CSNH2+NH4Cl+H2O溶液中, 將PbO層(18)從Pb/Sn焊料凸點(17)表面上去除。
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