本發明屬于用物理冶金技術提純多晶硅的技術領域。一種電子束高效、連續熔煉提純多晶硅的方法,先通過電子束在坩堝中形成穩定的高純硅熔池,然后將需提純硅粉通過進料真空閘室連續落入熔池,快速熔化后熔煉,從而去除硅粉中的雜質磷,得到的低磷硅液周期性地從坩堝中溢出,在水冷傾斜銅槽中形成硅塊,并落入收集筒中冷卻,最后通過出料真空閘室連續出料,完成連續提純多晶硅的工藝過程。本發明采取連續加料和連續出料的熔煉方式,采用電子束熔煉多晶硅可去除飽和蒸汽壓高的揮發性雜質磷,達到高效、連續熔煉除雜的目的,純度達到了太陽能級硅的使用要求,技術穩定,能耗小,成本低,生產效率高,適合大規模工業化生產。
聲明:
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