本發明公開了一種提純太陽能級多晶硅的裝置。所述裝置主要通過對工業硅進行冶金法熔煉后,經過對提拉定向生長多晶硅進行多級電磁約束區域提純的方法來獲得太陽能級多晶硅。首先通過冶金法熔煉硅合金熔體,然后經過提拉定向生長多晶硅來初步提純多晶硅后,在提拉出的多晶硅錠周圍設置對稱偶數個電磁約束熔煉器,實現多級電磁約束區域提純,并進一步實現高純度提純多晶硅。
聲明:
“提純太陽能級多晶硅的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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