本發明涉及燒結技術領域,且公開了一種中低硅燒結技術,包括以下步驟:1)首先,逐步將SiO2為≥7.5%的巴粗使用完后,接著采購的巴西粗粉SiO2控制在≤7.5%,降低配礦硅到5?6水平,來進行實驗;2)為保證生產技術攻關的嚴謹性、科學性和穩定性,此試燒驗證過程從小高爐燒結礦開始進行。該中低硅燒結技術,通過先利用中硅巴粗驗證后,接著利用CSN巴粗進行,再用中硅巴粗,慢慢降低礦硅到5?6水平,來進行多次驗證,使驗證結果更加嚴謹,此驗證先利用小高爐燒結礦開始進行,然后對整個生產和高爐使用過程的生產參數、燒結礦轉鼓、全粒級、低溫還原粉化指數RDI和熔滴性能等冶金性能數據進行統計分析,進行效果驗證檢測,達到了降低熔劑消耗的目的。
聲明:
“中低硅燒結技術” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)