凸塊下冶金(UBM)和再分布層(RDL)布線結構包括形成在管芯上方的RDL。RDL包括第一導電部分和第二導電部分。在RDL中第一導電部分和第二導電部分處于相同水平。RDL的第一導電部分通過RDL的絕緣材料與RDL的第二導電部分分離。UBM層形成在RDL上方。UBM層包括導電UBM跡線和導電UBM焊盤。UBM跡線將RDL的第一導電部分電連接至RDL的第二導電部分。UBM焊盤電連接至RDL的第二導電部分。導電連接器形成在UBM焊盤上方并且電連接至UBM焊盤。本發明實施例提供一種形成封裝件的方法。
聲明:
“封裝件結構及其形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)