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    高純碳化硅粉及其制備方法

    941   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 14:50:22
    本申請公開了一種高純碳化硅粉及其制備方法,屬于半導體材料制備領域。該高純碳化硅粉的制備方法包括下述步驟:提供β碳化硅粉和/或α碳化硅粉作為初碳化硅粉料;將初碳化硅粉料重結晶,制得碳化硅多晶塊;將碳化硅多晶塊除碳提純,制得高純碳化硅粉;所述重結晶的溫度不低于2500℃。本申請通過重結晶的方法提高制得的高純碳化硅粉的純度,無需經過濕法冶金或酸洗步驟除雜,污染小、毒性小、操作性高;并且純碳化硅粉在600?799℃下通氧氣的除碳提純步驟使得碳化多晶塊的去碳效果好、制得的高純碳化硅粉的氧化程度低,高純碳化硅粉用于生長碳化硅單晶的氧雜質影響??;該制備方法可制得純度不低于99.9999%的高純碳化硅粉,且高純碳化硅粉的粒度可控。
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    “高純碳化硅粉及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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