本發明公開了一種利用含氧多孔層吸除硅中雜質B的方法。按下述步驟進行:a)將硅塊制成50~1000目的硅粉;再對硅粉預處理:分別用H2SO4與H2O2的混合溶液、HF溶液、無水乙醇溶液以及純水各攪拌清洗,之后放入真空干燥箱中烘干;b)將預處理后的硅粉用腐蝕液進行高溫腐蝕,再用純水進行清洗、過濾后烘干,得到多孔硅;c)多孔硅的氧化:將多孔硅通過水溶液浸注或高溫退火方式進行氧化,在多孔硅表面構筑含氧多孔層,得到含氧多孔硅;d)對含氧多孔硅進行酸洗,去除表面氧化層,再進行清洗、過濾后烘干,得到去除B的硅粉。本發明制備路徑新穎,工藝簡單,易操作,成本較低,能夠有效的降低冶金級硅中的B濃度,并能在工藝上使B的濃度很容易的控制。
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