一種普通電力整流二極管芯片的整套生產工藝流程,從開始到結束,整個生產工藝流程包括:線切割,清洗,真空燒結,真空蒸鍍及真空微合金,黑膠保護,磨角,酸腐蝕,膠體保護,室溫硫化,高溫固化,檢測包裝。其中清洗以后的單晶硅片,按照以下多層結構,從下至上依次為:鉬片、鋁箔、單晶硅片,在燒結爐中進行真空燒結,后將鋁膜蒸鍍到整個單晶硅片上;所述磨角采用多角度搭配研磨工藝。本發明的優點在于:制造出一種新結構的芯片,且突破了傳統的電力整流管芯片臺面單一角度的臺面造型模式。多角度搭配研磨工藝新應用技術的出現,使得芯片臺面具有更加完美的多角度臺面造型。有效提高了電力整流管芯片承載更高工作電壓的能力。
聲明:
“普通電力整流二極管芯片的生產工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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