本發明涉及一種真空反應燒結高韌性碳化硅陶瓷的方法,其特征在于采用顆粒級配原料組成外加1~1.5%木質素磺酸鈣結合劑先混和,然后與水混合配料、注漿成型、真空燒結最終制得SiC陶瓷,所制備的SiC材料的斷裂韌性KIC可以在5~5.6MPa·m1/2范圍內可調,相對于普通SiC-B-C或SiC-A/N無壓燒結的KIC=3.0~4.5MPa·m1/2,提高了5%之多,適用于高溫工業爐的使用,具有良好的商業價值。
聲明:
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