本發明屬于材料加工技術領域,具體涉及一種鋁合金靶材及其制備方法。所述的鋁合金靶材,以相應原子百分比的銅、硅和稀土元素為原料,制備鋁合金靶材,改善所述鋁合金靶材的導電性、抗腐蝕性能和抗氧化性能。具體地,銅的加入,使所述鋁合金靶材的導電性能提高,硅的加入改變所述鋁合金靶材的熱膨脹系數,消除薄膜中產生的壓縮殘余應力,從而消除膜層起包現象,改善濺射鍍膜膜層的表面質量。本發明的鋁合金靶材的制備方法,先以全部的銅、硅、稀土元素和部分鋁混合熔融制成母合金,所述母合金的制備過程使銅、硅和稀土元素更好地與鋁熔融混合,再以熔融混合好的鋁?硅?銅?稀土合金與剩余部分的鋁熔融鑄錠,以解決硅、銅難熔融及成分均勻等問題,獲得成分均勻的鋁合金靶材。
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