本發明公開了一種電子元器件用銅鋯合金及其制備方法,合金成分包括:Zr 0.05?0.4wt%,Mg 0.05?0.2wt%,Si 0.03?0.15wt%,稀土0.01?0.06wt%,余量為Cu及不可避免的雜質元素。本發明還公開了一種該合金的制備方法,包括熔化、合金化、鑄造、熱軋、粗軋、時效、精軋、去應力退火和成品處理。本發明的銅鋯合金在添加Mg、Si和稀土元素的綜合作用影響下,同時兼備高強度、高導電性和優異的彎曲加工性,其制備方法易于工程化生產,且成本低,成品帶材抗拉強度不小于560MPa、導電率不小于80%IACS,其產品可用于極大規模集成電路及大電流電子元件、散熱部件。
聲明:
“電子元器件用銅鋯合金及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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