一種電子束蒸發技術制備微球碳化硼薄膜的方法,將碳化硼膜料放到電子束蒸發設 備的坩堝中,將清洗、干燥后的微球形襯底放到三維沉積裝置的篩網反彈盤里,使微球 形襯底位于坩堝正上方20cm~30cm處;在真空條件進行鍍膜,鍍膜真空度不低于 5.0×10-3Pa,襯底溫度為室溫~300℃;調節電子束使其聚焦到膜料上的斑點最小,調節 三維沉積裝置,使篩網反彈盤以0.125Hz~1Hz的頻率作間歇式振動,束流值控制在 80mA~140mA,鍍膜時間為5h-100h。此方法可制備出球形襯底的微球碳化硼薄膜, 薄膜結構因工藝不同有多晶和非晶兩種狀態,所制備的碳化硼薄膜表面光滑、均勻性良 好。
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