本發明公開了一種碳化硅MOSFET芯片雙向開關功率模塊及其制備方法,銅底板上橫向設置有多塊DBC,多塊DBC構成9個雙向開關,DBC的功率回路通過功率端子引出,DBC上疊加設置有第一PCB板和第二PCB板,第一PCB板和第二PCB板通過引線鍵合的方式引出驅動端子,9個雙向開關連接構成矩陣變換器的拓撲結構;本發明碳化硅MOSFET芯片雙向開關功率模塊具有體積小,寄生電感小,功率密度大的優點。
聲明:
“碳化硅MOSFET芯片雙向開關功率模塊及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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