本發明公開了一種半導體脈沖功率開關及其制備方法。開關由晶閘管單元p+npn+和晶體管單元n+npn+相間排列而成,陽、陰極側均設有Al電極;其陰極側的n+發射極的摻雜濃度為1×1020~1×1022cm-3,結深為15~25μm,晶體管單元n+npn+內的位于開關的陽極側的n+發射極的摻雜濃度為1×1020~1×1022cm-3,結深為15~25μm,晶閘管單元p+npn+的p+發射極摻雜濃度為8×1017~5×1018cm-3,結深為1~5μm。本發明采用的可減小開通電壓的薄發射極RSD結構,包括減薄p+發射區寬度和降低p+發射區摻雜濃度兩方面。本發明在n型Si襯底上進行Al燒結,形成RSD薄發射極的陽極結構。與現有薄發射極形成工藝相比,本發明保證了薄發射極不在后續工藝中被破壞,并且降低了對設備的要求,節省了工序,并且不會引起RSD陰極面反型。
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