本發明公開了一種可用于極高溫度下的碳化硅器件動態特性測試平臺,包括PCB基板及鍍銀的氧化鋁陶瓷基板,氧化鋁陶瓷基板上設置有金屬化DC+區域、金屬化AC區域、金屬化柵極區域及金屬化開爾文源極區域,其中,金屬化DC+區域上設置有待測SiC MOSFET及待測SiC肖特基二極管,其中,待測SiC MOSFET的柵極與金屬化柵極區域相連接;將待測SiC MOSFET的源極與金屬化開爾文源極區域相連接,待測SiC肖特基二極管的源極及待測SiC MOSFET的電源與金屬化AC區域相連接,該平臺能夠將SiC器件的動態特性研究擴展至更寬的溫度范圍。
聲明:
“可用于極高溫度下的碳化硅器件動態特性測試平臺” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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