本發明的一種碳化硅等級孔陶瓷的制備方法,屬于材料技術領域。制備時,將SiC粉體、B4C粉體、CB粉體和淀粉粉體球磨混合,干燥研磨過篩;倒入溶有分散劑的水溶液中,攪拌均勻,配制混合粉體懸浮液,加入硼酸,尿素,氨水,氫氧化鉀或異丙醇凝膠引發劑,攪拌均勻后,靜置反應;加入流變性能調節劑,攪拌后進行高速球磨,制得用于自由直寫成型技術的SiC陶瓷漿料;將SiC陶瓷漿料擠出,逐層沉積完成后,烘干去除水分,真空下高溫燒結,制得碳化硅等級孔陶瓷。相應孔尺寸和孔隙率的可調控范圍均遠高于現有報道,且能夠使得SiC陶瓷漿料具有相比于現有體系更高的粘彈性,更好的穩定性,經7天以上時間保存后,仍然能夠從較細的噴嘴中高速擠出。
聲明:
“碳化硅等級孔陶瓷的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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