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    可級聯的大功率碳化硅器件半橋高溫封裝結構

    1030   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:21
    本發明公開了一種可級聯的大功率碳化硅器件半橋高溫封裝結構,陶瓷外殼內設置有第一鍍金的金屬化芯區及第二鍍金的金屬化芯區,第一鍍金的金屬化芯區上設置有上橋臂半導體芯片,第二鍍金的金屬化芯區上設置有下橋臂半導體芯片;陶瓷外殼的端面上設置有凹槽結構,引片結構插入于凹槽結構內,且引片結構與陶瓷外殼之間通過密封件密封,引片結構與上橋臂半導體芯片及下橋臂半導體芯片相連接,陶瓷外殼內部為真空結構或者充有惰性氣體。該結構具有低成本、高可靠性、低寄生參數及耐高溫的特點。
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    “可級聯的大功率碳化硅器件半橋高溫封裝結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
    我是此專利(論文)的發明人(作者)
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