本發明涉及一種以高純二氧化硅和氫氣為原料制備多晶硅的方法,屬于非金屬礦深加工技術領域。以高純H2為還原劑、以高純SiO2為硅源,先在高溫1250?1300℃下通入H2,使SiO2被還原成SiO,O與H2反應生成H2O;然后再升溫到1350℃通入H2,把溫度控制在1350?1400℃之間。此時SiO被H2還原成高純Si,SiO中的O與H2發生氧化還原反應后生成H2O,整個制備過程對環境無任何污染。
聲明:
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