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    硅基半導體PN結結構及其制備方法、光電陰極和應用

    1238   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:22
    本發明屬于半導體電極技術領域,公開了一種硅基半導體PN結結構及其制備方法、光電陰極和應用,p型硅基底表面沉積有TiO2納米結晶層,TiO2納米結晶層通過還原處理后與p型硅基底形成肖特基接觸,得到p型硅?二氧化鈦異質結結構;其結晶性TiO2納米層上負載Pt助劑構成硅基半導體PN結光電陰極,該光電陰極應用于光電化學池光解水制氫中。本發明的硅基半導體PN結結構能產生較高的光生電壓,且具有較高的穩定性,同時制備方法簡單易行,可控性強,可實現大規模生產;本發明的硅基半導體PN結光電陰極利用n型TiO2納米結晶層成功促進了光生載流子的分離,提升了硅基光陰極的起始電位,同時也對p型硅基底起到了保護作用。
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