本發明描述一種離子植入裝置和一種制造一半導體裝置的方法,其中植入電離氫化硼分子簇以形成P型晶體管結構。舉例而言,在制造互補型金屬氧化物半導體(CMOS)裝置中,植入該等簇以為源極和漏極結構與多柵極提供P型摻雜,此等摻雜步驟對于形成PMOS晶體管而言是至關重要的。該等分子簇離子具有化學形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
聲明:
“離子植入裝置和一種通過植入氫化硼簇離子制造半導體的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)