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    離子植入裝置和一種通過植入氫化硼簇離子制造半導體的方法

    1396   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-18 15:02:23
    本發明描述一種離子植入裝置和一種制造一半導體裝置的方法,其中植入電離氫化硼分子簇以形成P型晶體管結構。舉例而言,在制造互補型金屬氧化物半導體(CMOS)裝置中,植入該等簇以為源極和漏極結構與多柵極提供P型摻雜,此等摻雜步驟對于形成PMOS晶體管而言是至關重要的。該等分子簇離子具有化學形式BnHx+和BnHx-,其中10≤n≤100且0≤x≤n+4。
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