本發明涉及包括納米結構的裝置,其中所述納米結構由導電材料制成并且其中所述納米結構由阻擋涂層覆蓋,該阻擋涂層包含Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物,厚度至少為約1nm,其中通過原子層沉積(ALD)來沉積所述阻擋涂層。本發明還涉及在這種裝置中檢測目標化合物的方法以及這種裝置用于表面特異性地產生倏逝場、測量介質的介電性能、檢測目標化合物的存在或濃度、確定目標化合物的一級結構、確定目標化合物與對照值的偏差、擴增目標化合物或監測目標化合物的擴增的用途。此外,本發明涉及制造包括納米結構的裝置的方法,該納米結構允許通過產生倏逝場進行表面特異性的檢測或允許介電傳感,該方法包括通過原子層沉積(ALD)在諸如鋁的導電材料上沉積厚度至少為約1nm的Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Sc、Y、Ge、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sr、Al、B、Ba、Bi和/或Mg氧化物阻擋涂層。
聲明:
“涂覆阻擋涂層的納米結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)