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    一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法

    764   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
    2023-03-19 06:32:51
    一種生長半絕緣砷化鎵單晶的摻碳裝置及摻碳方法,涉及半導體材料技術領域,包括石英管和PBN坩堝組,PBN坩堝組裝于石英管內,石英管的兩端安裝有密封卡頭,石英管的兩端分別設置有管路,分別稱為充氣管路和排氣管路,充氣管路上設置有通斷閥門三,充氣管路上游為兩個并聯的支氣管路,分別稱為充氧管路和充碳管路,充氧管路連接有氧氣源,充碳管路連接有碳氣源,并且均通過閥門控制氧氣源或碳氣源的通斷;排氣管路的下游為兩個并聯的支氣管路,分別稱為放氣管路和抽真空管路,放氣管路上設置有閥門,抽真空管路上連接有抽真空裝置。本申請可分別實施充氧烘烤工藝和C沉積工藝,兩個工藝在同一設備上依次進行,簡化了設備,節省了熱能損耗。
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