本發明涉及一種原位生成硫化鎘檢測地塞米松的光電化學傳感器的制備方法。本發明具體是采用羧基化氮化碳和硫化鉍作為基底材料,鎘離子功能化的二氧化鈦標記地塞米松抗體。通過在電極表面直接滴加硫化鈉,原位生成高光電轉換效率的窄帶隙硫化鎘半導體納米材料,在可見光波長的光源照射下產生光電流信號。載體多孔二氧化鈦與硫化鎘能帶匹配良好,從而提高硫化鎘的光電轉換效率,實現了對地塞米松的高靈敏檢測,其檢測限為2pg/mL。
聲明:
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